Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты

Амплитудно-частотная характеристика усилителя на биполярном

транзисторе определяется как частотными свойствами транзистора, так и частотными зависимостями внешних RC-цепей. Зависимость коэффициента усиления по току биполярного транзистора от частоты определяется параметрами его структуры и свойствами полупроводникового материала, из которого он изготовлен.

Существование этой зависимости связано с двумя принципиально

различными факторами:

а) процессами диффузионного движения носителей в базе

транзистора от эмиттера к коллектору;

б) совокупным влиянием емкости коллекторного перехода и

сопротивления базы.

Совмещенные ИС

Интегральная схема, в к-рой все активные элементы (напр., диоды, транзисторы) выполнены в объёме и на поверхности ПП подложки по пленарной технологии, а пассивные элементы (напр., резисторы, конденсаторы) и межэлементные соединения нанесены в виде плёнок на поверхность сформированной монолитной структуры. По сравнению с полупроводниковыми интегральными схемами С. и. с. имеют больший диапазон номин. значений и более высокую стабильность пассивных элементов; однако достоинства С. и. с. достигаются за счёт увеличения числа технологич. операций и нарушения единства технология, цикла. По степени интеграции С. и. с. приближаются к ПП ИС.

Билет № 16

Выпрямительные диоды

Выпрями́тельные дио́ды — диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный. На смену электровакуумным диодам и игнитронам пришли диоды из полупроводниковых материалов и диодные мосты (четыре диода в одном корпусе). Обычно к быстродействию, ёмкости p-n перехода и стабильности параметров выпрямительных диодов не предъявляют специальных требований.

Основные параметры выпрямительных диодов:

среднее прямое напряжение Uпр.ср. при указанном токе Iпр.ср.;

средний обратный ток Iобр.ср. при заданных значениях обратного напряжения Uобр и температуры;допустимое амплитудное значение обратного напряжения Uобр.макс.;средний прямой ток Iпр.ср.;

частота без снижения режимов.

Среди выпрямительных диодов следует особо выделить диоды Шотки, создаваемые на базе контакта металл-полупроводник и отличающиеся более высокой рабочей частотой (для 1 МГц и более), низким прямым падением напряжения (менее 0,6 В).

Основные характеристики полевых транзисторов

1.Управляющие (стокозатворные) характеристики. Эти характеристики показывают управляющее действие затвора и представляют собой зависимость тока стока от напряжения на затворе при постоянстве напряжения стока:

2.Выходные (стоковые) характеристики.

Семейство этих характеристик представляет собой зависимость тока стока от напряжения стока при неизменном напряжении на затворе: