Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Топ:
История развития методов оптимизации: теорема Куна-Таккера, метод Лагранжа, роль выпуклости в оптимизации...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Интересное:
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Для входного каскада входные параметры предоконечного каскада являются выходными, то есть для выбора транзисторов VT2, VT4 используем следующие данные:

Исходя из рассчитанных данных выбираем биполярные транзисторы VT2, VT4: это КТ-504А - кремневые планарные n-p-n-транзисторы предназначенные для работы в радиовещательных и телевизионных приемниках, в усилительной аппаратуре и других устройствах. Корпус герметичный, металлический, с гибкими выводами, пластмассовый. Масса транзистора не более 20 г.

По зависимости статичеcкого коэффициента передачи тока от тока коллектора находим β=45.

Возьмём
с запасом с учётом получения большого входного сопротивления 
Выбираем полевые транзисторы VT1, VT5: это КП932А:
S1=69 мА/В;

Результирующая крутизна Дарлингтона:



Расчёт источника тока на транзисторе VT3
= Uкэ ∙
=172∙0,0036=0,7 Вт;

Выберем транзистор КТ504А.

По зависимости статичеcкого коэффициента передачи тока от тока коллектора [7] находим β=45.

По входным ВАХ [7] находим напряжение на переходе Uбэ=0,5 В.

R3=10 Ом; UR3=36 мВ; PрасR3=0,05 Вт;
UR6= Uбэ+ UR3 =0,5+0,036=0,536 В.

PрасR6= UR6∙
=0,05 Вт;

PрасR5= UR5∙
=0,05 Вт;





Расчёт ООС усилителя


,
Зададим R17 и R16:
R17=15 MoM и R16=560 кОм;
Найдём R15и R14:

R14=R17-R16-R15=15000000-560000-560000=15 МоМ;
Заключение
В данной работе спроектирован усилитель мощности, соответствующий заданным параметрам.
В ходе работы разработана принципиальная электрическая схема этого усилителя.
В данной работе представлен расчет каждого из каскадов усилителя и приведены используемые в процессе расчета характеристики.
К данному курсовому проекту прилагается чертеж, выполненный на бумаге формата А3 и представляет собой принципиальную электрическую схему спроектированного усилителя.
Список использованной литературы
1. ГОСТ 7.32-2001. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления.
2. Завьялов С.А. Схемотехника усилителей мощности низких частот: учеб. пособие / С.А. Завьялов, К.В. Мурасов. - Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010.-92 с.
3. Титце У. Полупроводниковая схемотехника: справочное руководство: [пер. с нем.] / У. Титце, К. Шенк. – М.: Мир, 1983.
4. Шкритек П. Справочное руководство по звуковой схемотехнике / П. Шкритек. – М.: Мир, 1991.
5. Хоровиц П. Искусство схемотехники / П. Хоровиц, У. Хилл. − М.: Мир, 2002.
6. Остапенко Г.С. Усилительные устройства / Г.С. Остапенко. – М.: Радио и связь, 1989.
7. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: справочник / К.М. Брежнева [и др.]; под. ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981.
8. Полупроводниковые приборы: Транзисторы: справочник / В.Л. Аронов [и др.]; под общ. ред. Н.Н. Горюнова. – 2-е изд., перераб. – М.: Энергоатомиздат, 1985.
9. Ровдо А.А. Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах / А.А. Ровдо. – М.: Додека, 2002.
10. Морган Джонс. Ламповые усилители: [пер. с англ.] / Д. Морган. – М.: ДМК Пресс, 2007.
11. Ежков Ю.С. Справочник по схемотехнике усилителей. – М.: ИП Радио Софт, 2002.
12. Интернет-источник. – http://mosfet.data-chip.ru/
13. Интернет-источник. – http://www.rlocman.ru/datasheet/data.html?di= 56443
14. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып. 2. Модели компонентов аналоговых устройств / В.Д. Разевиг. – М.: Радио и связь, 1992.
15. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-CAP 5 / В.Д. Разевиг. – М.: «Солон», 1997.
16. ГОСТ 7.1-2003. Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Библиографическая запись. Библиографическое описание. Общие требования и правила составления.
|
|
|
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!