Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
Топ:
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
История развития методов оптимизации: теорема Куна-Таккера, метод Лагранжа, роль выпуклости в оптимизации...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Физическая структура.

Отличия от МОП-структур.
1. В ПТШ затвор кладётся прямо на
-слой.
2. Из структуры видно, что металлический затвор и
-активный слой образуют диод Шоттки (металл-полупроводник), т.е. через этот затвор будет протекать ток.
Принцип работы.
Если ничего не подавать на затвор, то активные электроны, расположенные в
-слое под затвором, уходят в металл (электроны всегда переходят в металл из полупроводника из-за разницы работ выхода). Под электродом образуется обеднённая область, в которой подвижных электронов нет.
Если, теперь приложить разность потенциалов
, то по оставшемуся в
-слое каналу потечёт ток стока
.
Если подать
, тогда в обеднённую область начнёт подтягиваться определённое количество электронов. Объём обеднённой области при этом будет уменьшаться, сечение канала увеличиваться и ток стока будет тоже расти.
Электрические характеристики и параметры ПТШ на арсениде галлия.

ВАХ ПТШ очень похожи на ВАХ МОПТ. Они также имеют крутой и пологий участки.
1. Триодный (крутой) участок (
).
Из теории ПТШ можно показать, что ВАХ описывается выражением закона степени
.
, (28)
где
- концентрация донорной примеси в активном
-слое.
Из этого выражения видно, что в ПТШ ток в зависимости от напряжения на электродах прибора растёт медленней, чем в МОП-структурах, где ВАХ описываются квадратными уравнениями.
Параметры уравнения:
- внутренняя проводимость ПТШ.
- коэффициент удельной крутизны МОПТ (для сравнения). Т.о. между
и
имеется полная аналогия.
- внутренний встроенный потенциал контакта Шоттки.
2. Пентодный (пологий) участок (
).
, (29)
где
.
Доопределим напряжение отсечки:
.
НО и НЗ ПТШ на
.
На практике различают два типа ПТШ: нормально открытые и нормально закрытые ПТШ.
Нормально открытые ПТШ.
Это приборы, у которых в исходном состоянии канал не перекрывается обеднённой областью,
в исходном состоянии. Для НО ПТШ параметр
имеет большие значения (
).
Для НО ПТШ
.
Нормально закрытые ПТШ.
В исходном состоянии канал автоматически перекрыт обеднённой областью и так нет:
. Для НЗ ПТШ параметр
имеет малые значения (
).
Для НЗ ПТШ
.
Входные ВАХ НО и НЗ ПТШ.

ВАХ для тока затвора ПТШ.
В отличие от МОПТ, в ПТШ имеет место ток затвора
, равный току диода Шоттки.
В практических схемах исток заземляется, поэтому ток затвора течёт в исток. Тогда суммарный ток истока
.
(т.к. при
начинает работать диод Шоттки и к току стока
добавляется ток затвора
).
Т.о. в ПТШ, как и в БТ, имеется 2 тока, а не 1 как в МОПТ.
.
, (30)
где
- коэффициент неидеальности диода Шоттки.
Можно показать, что для контакта Шоттки
,
где
- площадь затвора;
- постоянная Ричардсона;
- потенциал барьера Шоттки.
Эквивалентная схема ПТШ.


и
рассчитываются на основании конструкции и справочных данных.
Ключи на БТ.
|
|
Транзистор переходит в насыщение и устанавливается напряжение
.













1. Участок
.
;
;
(31)
2. Участок
.
; 
(32)
(33)
(34)

(35)
Подставляем (35) в (34):

(36)
Формула (36) выражает
через
на участке, где транзистор работает в нормальном режиме.
Нужно чтобы зона
была как можно меньше. Для этого нужно увеличивать
и уменьшать
.
3. Участок
.
(37)

(6)
|
|
|
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!