Происходит ли в диоде рекомбинация свободных носителей зарядов?

а) Все ответы неверны

б) Нет, поскольку носители зарядов находятся в связанном состоянии и жестко притягиваются к своим электродам

в) Да, рекомбинация свободных носителей зарядов происходит все время, и параллельно с ней протекает процесс генерации свободных носителей зарядов

г) Нет, потому что между проводящими слоями имеется внутренний потенциальный барьер

Как называются выводы диода и каковы их полярности?

а) Катод и анод (катод - отрицателен, анод - положителен)

б) Катод и анод (катод - положителен, анод - отрицателен)

в) Коллектор и эмиттер (коллектор - отрицателен, эмиттер - положителен)

г) Коллектор и эмиттер (коллектор - положителен, эмиттер - отрицателен)

д) Катод и анод (взаимозаменяемы, полярность отсутствует)

Каково основное назначение диода?

а) Позволяет выпрямить переменное напряжение, благодаря свойству односторонней проводимости

б) Позволяет получить постоянное напряжение посредством комбинации нескольких диодов в схеме

в) Обеспечивает одностороннюю проводимость тока на участках схем с целью разгрузки некоторых элементов

г) Применяется в качестве защитного элемента, если существует вероятность пробоя каких-либо элементов в цепи

д) Все ответы верны

Что такое пробой диода?

а) Это явление резкого увеличения прямого тока через диод при достижении прямым напряжением некоторого критического для данного диода значения

б) Это явление снижения сопротивления диода в прямом направлении до минимального значения (близкого к нулю) при долгом протекании тока

в) Это явление резкого увеличения обратного тока через диод при достижении обратным напряжением некоторого критического для данного диода значения

г) Это явление, возникающее при лавинообразном протекании процессов генерации и рекомбинации свободных носителей зарядов при значительном повышении температуры окружающей среды

Какова теоретически принимаемая величина падения напряжения на диодах из Si (кремния) и Ge (германия)?

а) Si - 0,9 В; Ge - 0,6 В

б) Si - 0,7 В; Ge - 1,3-1,4 В

в) Si - 0,4 В; Ge - 0,1 В

г) Si - 0,6 В; Ge - 0,3-0,4 В

д) Si - 0,2 В; Ge - 1 В

Какие виды пробоя диодов бывают?

а) Лавинный, туннельный, тепловой

б) Лавинный, туннельный, промежуточный, тепловой

в) Электрический, гальванический, тепловой

г) Лавинный, туннельный, гальванический

Чем отличаются проводимости у проводников и полупроводников?

а) Проводимость у проводников создается электронами и дырками, а у полупроводников - только электронами

б) Проводимость у проводников создается электронами, а у полупроводников - электронами и дырками

в) Проводимость и у проводников, и у полупроводников создается электронами и дырками, отличаются только внутренние сопротивления

г) Все ответы неверны

 

 

Будет ли уменьшаться удельное сопротивление полупроводника при повышении температуры?

а) Да, будет, поскольку при нагревании электроны увеличивают свою скорость, усиливая процесс образования диполей

б) Нет, не будет, поскольку удельное сопротивление является одним из характерных параметров и остается постоянным вплоть до полного пробоя

в) Да, будет, поскольку произойдет разрыв ковалентных связей, в результате чего образуется большое количество свободных носителей заряда

г) Нет, не будет, повышение температуры приведет только к усилению процессов рекомбинации и генерации основных носителей заряда

Что показывает вольтамперная характеристика диода?

а) Зависимость тока от напряжения в прямом и обратном направлениях: I = f (U)

б) Зависимость сопротивления диода от температуры: R = f (T)

в) Зависимость напряжения на диоде от температуры: U = f(T)

г) Зависимость тока диода от температуры: I = f(T)

д) Зависимость тока и напряжения от времени в прямом и обратном направлениях: I,U = f (t)

Почему требуется ограничивать значение собственной диффузионной емкости диода?

а) Собственная емкость диода может оказывать отрицательное влияние на параметры схемы, приводя к резонансу

б) Слишком большое значение емкости превращает диод в конденсатор с переменными параметрами

в) Диффузионная емкость приводит к ускоренному старению и быстрому наступлению теплового пробоя диода

г) Из-за того, что на высоких частотах сопротивление диода снижается практически до нуля, т.к. p-n-переход не работает на этих частотах