Постоянные запоминающие устройства

Особенностью постоянных ЗУ является то, что из них в процессе работы можно только считывать информацию, а записывать нельзя. В зависимости от возможности изменения хранимой информации различают постоянные ЗУ (ПЗУ) и полупостоянные, или программируемые ЗУ (ППЗУ).

Записанная первоначально в ПЗУ информация сохраняется в течение всего периода использования и не может быть изменена в процессе эксплуатации. Естественно, что это позволяет намного упростить необходимые коммутационные устройства и сами элементы памяти. При этом уменьшается также рассеиваемая мощность, поскольку отпадает необходимость в восстановлении информации, повышаются быстродействие и надежность работы.

Основу ПЗУ составляет двухкоординатная матрица элементов памяти (запоминающее поле). В качестве таких элементов используются диоды Шотки, биполярные и МДП-транзисторы. Обычно на кристалле вместе с матрицей запоминающих элементов располагаются схемы записи, дешифраторы, усилители, входные и выходные схемы, обеспечивающие согласование ЗУ с внешними устройствами.

Типичная схема диодного ПЗУ показана на рис. 4. Структура - матричная: строки образуются адресными шинами, а столбцы - разрядными. Каждая шина хранит определенный код: 0011, 0100 и т. д. Запись осуществляется с помощью диодов, которые присоединены между адресными шинами и теми разрядными шинами, на которых (при считывании) должна быть логическая 1; подобные соединения отсутствуют там, где должны появиться нули. Схема работает следующим образом. В любой момент времени только на одной выходной линии дешифратора может быть высокий уровень напряжения. Ток с этой линии течет лишь на те выходные линии, с которыми эта линия соединена диодом.

Рис. 4. Схема диодного постоянного ЗУ Рис. 5. Ячейки ПЗУ на биполярных (а) и МДП-транзисторах (б)

В качестве диодов чаще всего используются транзисторы. На рис. 5. показаны типичные ячейки полупроводниковых ПЗУ, использующих биполярные и МДП-транзисторы. Принципы построения остаются теми же, но транзисторы могут совмещать в себе функции элемента связи и усилительного элемента.

Если ПЗУ изготовлено таким образом, что пользователь может электрическим (или каким-либо иным) способом записывать информацию в память, то такое ПЗУ является программируемым. Часто используют такую схему, где в каждой ячейке памяти предварительно установлены единицы: на каждом пересечении матрицы имеются плавкие перемычки или их аналоги. Запись или программирование ППЗУ производится “пережиганием” этих перемычек электрическим током определенной величины. Иногда память в начальном состоянии во всех ячейках содержит нули, а единицы вводятся пользователем.

Специфика работы ППЗУ заключается в том, что содержимое памяти может быть установлено по желанию пользователя, а позднее эту информацию можно стереть и записать новую. Разработаны типы ППЗУ со стираемой информацией, позволяющие неоднократно записывать требуемую информацию. Стирание можно производить электрическим током или ультрафиолетовым излучением. Как правило, ППЗУ выдерживают более тысячи циклов записи-стирания до возникновения необратимых изменений пороговых напряжений и проводимости канала запоминающих элементов.

При использовании для создания программируемой памяти бистабильных МДП-транзисторов матрица запоминающих элементов в исходном состоянии содержит транзисторы с одинаковыми пороговыми напряжениями. Запись информации осуществляется в результате инжекции носителей заряда в слой подзатворного диэлектрика, что приводит к изменению порогового напряжения заданных транзисторов.

В случае бистабильных МДП-транзисторов с плавающим затвором программирование ячейки осуществляется путем заряда плавающего затвора. Прикладывая к затвору достаточно большое напряжение, вызывают лавинный пробой в диэлектрике, в результате чего в нем накапливаются электроны. Соответственно меняется пороговое напряжение. Заряд электронов сохраняется в течение длительного времени, и записанную информацию можно воспроизводить многократно, обследуя (в процессе коммутации) проводимость между истоком и стоком. Стирание записи (нейтрализация заряда) производится при облучении матрицы ультрафиолетовым (или рентгеновским) излучением.

В ППЗУ на МНОП-транзисторах введение и выведение зарядов в диэлектрик осуществляется с помощью коротких высоковольтных импульсов разной полярности, подаваемых на затвор.