Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Топ:
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Эволюция кровеносной системы позвоночных животных: Биологическая эволюция – необратимый процесс исторического развития живой природы...
Интересное:
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Для описания кристаллических многогранников и структур применяется метод кристаллографического индицирования. В кристаллографии всегда пользуются правой системой координат. Система координат выбирается в соответствии с симметрией кристалла, а значит, может быть и не прямоугольной. Оси координат выбираются по осям симметрии или по нормалям к плоскостям симметрии, а их нет, как в кристаллах низшей категории, то по ребрам кристаллического многогранника или рядам кристаллической решетки. Правила выбора направлений координатных осей (правила кристаллографической установки) отображены в табл.Таблица 3.
Грани кристаллического многогранника, а значит, и все бесконечное количество плоских сеток характеризуются определенным наклоном к выбранной системе координат. Если некоторая грань отсекает от координатных осей отрезки ma, nb, pc то отношение чисел m: n: p характеризует наклон грани к осям координат, для всего множества плоскостей можно доказать*, что эти отношения можно представить как взаимно простые числа (p: q: r), которые названы параметрами Вейсса [10]. В кристаллографии принято характеризовать плоскости не параметрами Вейсса, а индексами Миллера – величинами, обратными параметрам Вейса, приведенным к целым числам:
:
:
= h: k: l (2)
Числа h, k, l называют индейками плоскости, если их записать подряд и в круглых скобках, то это символы плоскости, грани (семейства граней).
Таблица 3 – Правила кристаллографической установки кристаллов
| Категория | Сингония | Принятое расположение осей | Форма элементарной ячейки | Примечания |
| Низшая | Триклинная | По ребрам кристалла | Косоугольный параллелепипед | Обязательное условие c<a<b |
| Моноклинная | Ось Y вдоль ось L2 или перпендикулярно m | Прямая призма, в основании которой параллелограмм | Существует вторая установка: ось L2 или нормаль к m располагают вдоль Z, соответственно меняются и направления других осей. | |
| Ромбическая | Оси X, Y, Z параллельно оси L2 или перпендикулярны m | Прямоугольный параллелепипед | ||
| Средняя | Тригональная | Главная ось вдоль Z, остальные в плоскости X, Y | Призма, в основании которой ромб с углом 120° | Можно также выбирать ячейку в виде ромбоэдра, так что a=b=c, a=b=g=120°. Вдоль оси L3 (L3i) направляется ось Z |
| Гексагональная | ||||
| Тетрагональная | Призма с квадратным основанием | |||
| Высшая | Кубическая | Оси X, Y, Z параллельны трем взаимно перпендикулярным осям L2 или L4или L4i | Куб |
Метод описания граней с помощью индексов и символов был установлен задолго до открытия решетчатой структуры кристалла, он основывался на эмпирическом законе кристаллографии – законе целых чисел (закон Гаюи):
Для любых двух граней кристалла двойные отношения параметров равны отношению малых целых чисел. Наклон всякой грани кристалла можно определить тремя целыми числами, если за оси координат выбрать направление трех ребер кристалла, а за параметры – отрезки, отсекаемые на этих осях одной из граней кристалла.
:
:
=p: q: r (3)
где p, q, r целые взаимно простые числа для реальных кристаллов малые (£ 5) числа, ОА, ОВ, ОС – отрезки которые отсекает единичная грань на осях координат (о правилах выбора единичной грани будет сказано далее).
|
|
|
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!