Расчет статической помехоустойчивости

Помехоустойчивость логических ИС принято характеризовать параметром, называемым статической помехоустойчивостью. Статическая помехоустойчивость - это наименьшее постоянное напряжение, которое, будучи добавлено (при самом неблагоприятном сочетании обстоятельств) к полезному входному сигналу, вызовет ошибку по всей последующей цепи логических схем. Статическая помеха наблюдается в тех случаях, когда относительно велико сопротивление проводников, подводящих к ИС напряжение питания. В схемах ТТЛ помехоустойчивость выше благодаря наличию смещающих р-n-переходов на входах инверторов. Допустимая статическая помеха для этих схем равна 0,4-1,1 В. [2]

Рассчитаем помехоустойчивость по отношению к помехам положительной полярности на входе:

;

Рассчитаем помехоустойчивость по отношению к помехам отрицательной полярности на входе:

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. Составление партии пластин.

 

2. Химическая обработка пластин.

3. Термическое окисление Si. Пластина после термического окисления

4. Фотолитография по окислу кремния. Вид структуры после фотолитографии

5. Имплантация ионов сурьмы.

6. Термическая диффузия имплантированных ионов сурьмы Sb⁺. Проводится при температуре Т = 1220 ⁰С и времени t = 12 ч.

структура после термической диффузии

 

 

7. Травление окисла и химическая обработка пластины.

травление окисла

 

8. Наращивание эпитаксиального слоя.

структура после эпитаксиального наращивания

9. Химическая обработка.

10. Термическое окисление.

11. Фотолитография под разделительные дорожки.

12. Химическая обработка.

13. Термическая диффузия бора B для создания разделительных дорожек.

14. Фотолитография по окислу кремния для создания базовых областей.

15. Химическая обработка.

16. Имплантация ионов бора.

17. Термическая диффузия имплантированных ионов бора.

18. Фотолитография по окислу кремния под эмиттер.

19. Химическая обработка.

20. Диффузия фосфора в область эмиттера.

21. Фотолитография под контактные окна.

22. Контроль электрических параметров элементов.

23. Химическая обработка.

24. Напыление алюминия.
/

25. Фотолитография по алюминию.

26. Вплавление алюминия.

 

 

РАСЧЕТ ПЛОЩАДИ ВЕНТИЛЯ

 

Данные для расчета площади вентиля [3]

- размер контактных площадок для приварки проводников l₁; 90мкм

- расстояние от края скрайбирующей полосы до края диффузионной области l₂; 15мкм

- длина проводника l₃; 40мкм

- расстояние между краем разделительной области и краем скрытого n+-слоя l₄; 5мкм

- ширина транзистора VT1 l₅; 25мкм

- щирина области разделительной диффузии l₆; 3мкм

- ширина транзистора VT2 l₇; 30мкм

- щирина резистора l₈; 4мкм

- длина транзистора VT1 l₉. 65мкм

 

 

90+30+40+10+25+9+30+4=238мкм

Для удобства изготовления длину топологической площадки выбираем равной щирине

L=240мкм.

 

 

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе курсовой работы был сделан расчет статистических параметров а также статической помехоустойчивости базового ТТЛШ вентиля. Все полученные значения удовлетворяют нормальной работе элемента транзисторно-транзисторной логики. Также в ходе этой работы был сделан топологический чертеж транзистора и его вертикальная структура, был произведен расчет площади вентиля.