Исследование входных характеристик транзистора в схеме ОЭ

Задачей является исследование серии входных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.3, а, 4.6, а. Обратим внимание, что исследуются серии характеристик I _б(U _бэ) при фиксированных значениях напряжения U _кэ между коллектором и эмиттером.

Первоначально установите значение U _кэ = 0. Изменяя напряжение U _бэ от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I _б(U _бэ)| _{U кэ = 0} (табл. 4.6).

Таблица 4.6

Параметр	U бэ, В	I э, мА	I к, мА	I б, мА
U кэ =?		?	?	?
?	?	?	?
…	…	…	…
?	?	?	?

 

2.3. Установите значение U _кэ = 10-12 В. Изменяя напряжение U _бэ от нулевого значения до U _бэ ≈ 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I _б(U _бэ)| _{U кэ = 10} (аналогично, табл. 4.6).

2.4. Установите значение U _кэ = 15-17 В. Изменяя напряжение U _бэ от нулевого значения до U _бэ ≈ 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I _б(U _бэ)| _{U кэ = 15} (аналогично, табл. 4.6).

2.5. Постройте и объясните серию входных I _б(U _бэ)| _{U кэ} характеристик (на одном графике).

Исследование выходных характеристик транзистора в схеме ОЭ

Задачей является исследование серии выходных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.3, б, 4.6, б. Исследуются серии характеристик I _к(U _кэ) при различных фиксированных значениях тока базы I _б.

2.7. Первоначально установите U _бэ = 0, так что I _б = 0. Изменяя U _кэ от нулевого значения до U _кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I _к(U _кэ)| _{I б = 0} (табл. 4.7). По мере изменения U _кэ значение I _б должно оставаться постоянным, и если значение изменяется, то регулируйте U _бэ.

Таблица 4.7

Параметр	U кэ, В	I к, мА	I э, мА	Пара-метр	U кэ, В	I к, мА	I э, мА	Параметр	U кэ, В	I к, мА	I э, мА
I б =?, мА		?	?	I б =?, мА		?	?	I б =?, мА		?	?
?	?	?	?	?	?	?	?	?
…	…	…	…	…	…	…	…	…
?	?	?	?	?	?	?	?	?

 

2.8. Установите произвольное значение тока I _б базы. Изменяя U _кэ от нулевого значения до U _кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения I _к(U _кэ)| _{I б} (табл. 4.7). По мере изменения U _кэ значение I _б должно оставаться постоянным.

2.9. Установите следующее значение тока I _б базы. Изменяя U _кэ от нулевого значения до U _кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I _к(U _кэ)| _{I б} (табл. 4.7). По мере изменения U _кэ значение I _б должно оставаться постоянным.

2.10. Постройте серию выходных характеристик I _к(U _кэ)| _{I б} при различных токах базы.

2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме ОЭ

Характеристика обратной связи U _бэ(U _кэ) в схеме ОЭ показывает, как необходимо изменять напряжение U _бэ при возрастании напряжения U _кэ, чтобы ток I _б оставался постоянным.

Для исследования зависимости U _бэ(U _кэ) установите фиксированное значение тока базы I _б, и, удерживая его постоянным по мере возрастания U _кэ от 0 до 20…25 В, снимите значения U _бэ (табл. 4.8).

Таблица 4.8

Параметры	I б =? мА
U кэ, В	?	8-10 точек	?
U бэ, В	?	?	?
Коэффициент обратной связи mкб|ОЭ	?

2.12. Постройте характеристику обратной связи U _бэ(U _кэ) в схеме ОЭ и рассчитайте значение коэффициента обратной связи m_{кб| ОЭ} .

Исследование характеристики передачи тока в схеме ОЭ

Для построения серии статических характеристик передачи тока I _к(I _б)| _{U кэ} в схеме ОЭ первоначально установите произвольное фиксированное значение U _кэ = 10…15 В и, изменяя ток I _б, измеряйте значения тока коллектора I _к (табл. 4.9).

Таблица 4.9

Параметры	U кэ =? В
I б, мА	?	8-10 точек	?	?
I к, мА	?	?	?	?
bсред	?

2.14. Рассчитайте значение коэффициента передачи тока b_сред по графику функции I _к(I _б): b_сред =D I _к/D I _б.

2.15. Выключите установку.

Отчетные материалы

В лабораторной тетради представляются:

– заполненные таблицы;

– экспериментальные входные и выходные характеристики в схеме с общей базой (ОБ);

– экспериментальные входные и выходные характеристики в схеме с общим эмиттером (ОЭ);

– переходные характеристики в схемах ОБ и ОЭ;

– характеристики обратной связи в схемах ОБ и ОЭ;

– расчетные значения и зависимости коэффициента передачи тока a и b в разных схемах.

К защите представляется РГЗ с задачами по теме: ″Биполярные транзисторы″.

 

Тема 5. Полевые транзисторы

Лабораторная работа № 5.1

″Статические характеристики полевого транзистора″

Цель работы: исследование принципа работы и статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n- переходом (ПТУП).

Приборы и принадлежности: испытательный стенд, источники питания; схема с общим истоком на основе полевого транзистора КП302А.