Jfets (плоскостные полевые Транзисторы)

 

JFETs - униполярный, управляемый напряжением транзистор, который использует наведенное электрическое поле, чтобы управлять током. Ток через JFETs управляется отпирающим напряжением. Увеличение отрицательного напряжения вызывает уменьшение тока.

 

JFET состоит из полоски n-типа или p-типа doped полупроводникового материала называемого каналом. Концы канала называются истоком и стоком. В n-канальном JFET, вентиль - материал p-типа окружающий канал. В приборе с p-каналом это - материал n-типа.

 

N-канальный JFET

Идеальный n-канальный JFET включен в бункер частей. Вы можете указать другую модель, которая больше подходит вашим потребностям.

 

P-канальный JFET

Идеальный p-канальный JFET включен в бункер частей. Вы можете указать другую модель, которая больше подходит вашим потребностям.

 

LED (Светодиод)

Светодиод испускает видимый свет при прохождении тока в "прямом" направлении (когда ток превышает Ion, в амрерах).

 

Идеальный светодиод включен в бункер частей, но Вы можете указывать различные модели.

MOSFETs МОП-ТРАНЗИСТОРЫ (Металл-Окись-Полупроводник FETs)

 

Восемь типов МОП-ТРАНЗИСТОРОВ размещены в бункере частей. Имеется набор моделей для каждого.

 

Depletion MOSFETs

Enhancement MOSFETs

Terminal depletion N-MOSFET

Terminal enhancement N-MOSFET

Terminal depletion P-MOSFET

Terminal enhancement P-MOSFET

Terminal depletion N-MOSFET

Terminal enhancement N-MOSFET

Terminal depletion P-MOSFET

Terminal enhancement P-MOSFET

 

 

Terminal depletion N-MOSFET

Это n-канальный deplention МОП-ТРАНЗИСТОР. Подложка соединена с истоком, делая его прибором с тремя выводами.

 

Terminal enhancement N-MOSFET

Это - n-канальный enhancement МОП-ТРАНЗИСТОР. Подложка соединена с истоком, делая его прибором с тремя выводами.

 

Terminal depletion P-MOSFET

Это - p-канальный deplention МОП-ТРАНЗИСТОР. Подложка соединена с истоком, делая его прибором с тремя выводами.

 

Terminal enhancement P-MOSFET

Это - p-канальный enhancement МОП-ТРАНЗИСТОР. Подложка соединена с истоком, делая его прибором с тремя выводами.

 

Terminal depletion N-MOSFET

Это n-канальный deplention МОП-ТРАНЗИСТОР. Он имеет четыре вывода вместо трех, потому что проводник подложки не соединен с истоком.

 

Terminal enhancement N-MOSFET

Это - n-канальный enhancement МОП-ТРАНЗИСТОР. Он имеет четыре вывода вместо трех, потому что проводник подложки не соединен с истоком.

 

Terminal depletion P-MOSFET

Это - p-канальный depletion МОП-ТРАНЗИСТОР. Он имеет четыре вывода потому, что подложка и исток не соединены.

 

Terminal enhancement P-MOSFET

Это - p-канальный enhancement МОП-ТРАНЗИСТОР. Он имеет четыре вывода потому, что подложка и исток не соединены.