Типовая величина напряжения отпирания кремниевого полупроводникового диода составляет

0,6…0,8 В;

30. Через стандартно-включенный стабилитрон протекает постоянный ток 10 mА. Параметры стабилитрона: U_ст = 7,5 В, I_ст.min = 3 mA, I_ст.max = 30 mA. Оценочная величина мощности, рассеиваемой на этом стабилитроне, составляет

75 мВт;

31. Через стандартно-включенный стабилитрон, протекает постоянный ток 1 mА. Параметры стабилитрона: U_ст = 7,5 В, I_ст.min = 3 mA, I_ст.max = 30 mA. Падение напряжения на стабилитроне составляет

меньше 7,5 В, но больше 0 В.

32. Возможно ли использовать выпрямительный диод, имеющий паспортные значения U_обр.max = 160 В, I_пр.max = 1.0 A для построения выпрямителя напряжения 36 В частотой 50Гц, работающего на нагрузку 20 Ом?

нет;

Транзистор на рисунке включен по схеме

VT

R

Eп

Uвых

Uвх

 

 

ОК.

34. Один из усилительных каскадов называется "эмиттерный повторитель". Это каскад

ОК.

35. Для максимально-возможной амплитуды выходного напряжения усилителя, работающего в режиме А и питающегося от однополярного источника Е_П, справедливо неравенство

;

36. Для максимально-возможной амплитуды выходного напряжения усилителя, работающего в режиме А и питающегося от двухполярного источника ± Еп, справедливо неравенство

1) ;

37. Максимальный КПД (Р_нагр/Р_общ) имеет усилитель, работающий

в режиме В;

Схема усилителя, приведенная на рисунке, называется

R1

R2

+

Uвх

Uвых

 

 

неинвертирующий усилитель;

Минимальный коэффициент гармоник (уровень нелинейных искажений) имеет усилитель, работающий

в режиме А;

40. Коэффициент усиления по напряжению K_u усилителя, схема которого приведена на рисунке, определяется выражением

R1

R2

+

Uвх

Uвых

 

;

41. В схеме, представленной на рисунке, I_к = b · I_б < I_{к max}. Это соответствует состоянию, когда транзисторный ключ

Eп

VT

R

Rк

Uвх

С

 

Uвых

 

 

находится в промежуточном состоянии (режим усиления).

Импульсное устройство, в котором амплитуда напряжения выходных импульсов может существенно превышать напряжение питания, называется

блокинг-генератор;

VT

R

Rк

Uвх

С

43. Транзисторный ключ, изображенный на рисунке, замкнут. Напряжение U_к равно

Eп

Uвых

 

;

44. Минимальная частота усиления сигнала в транзисторном усилителе переменного тока ограничивается параметрами:

VT

Rэ

Eп

Ср1

Rб1

Rб2

Ср2

 

 

емкостью разделительных конденсаторов С_р1, С_р2 и сопротивлениями R_вх, R_вых;

45. Линия нагрузки и ВАХ диода приведены на рисунке. U₁ и U₂ представляют собой:

U

 

 

U2

U1

U₁ – падение напряжения на диоде, U₂ – падение напряжения на нагрузочном резисторе;

Линия нагрузки и ВАХ диода приведены на рисунке. Мощность, рассеивается на диоде, определяется выражением

Im

IA

А

I

U

U2

U1

;

Im

IA

А

I

47. Линия нагрузки и ВАХ диода приведены на рисунке. Мощность, потребляемая всей цепью (диод и нагрузочный резистор), определяется выражением

U2

U1

;

48. Из усилительных каскадов одновременно имеет K_u > 1 и К_i >1

только ОЭ;

Семейство выходных ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ, приведено на рисунке; рабочей точкой является точка А. Мощность, рассеиваемая на транзисторе, определяется выражением

Uкэ

А

IA

Im

Iк

 

UА

E