Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Топ:
Оснащения врачебно-сестринской бригады.
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Интересное:
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Задача 5.1
Определить среднее значение тока нагрузки, при котором возникает граничный режим в схеме понижающего транзисторного регулятора.

а)
Рис. 5.1
Исходные данные
| Дано: | Значения: | Найти: |
| E, B | I н cp | |
| С ф, мкФ | ¥ | |
| f, кГц | ||
| L Ф, мГн | ||
| g | 0,4 |
Решение
По схеме замещения для включённого состояния ключа. Ток нарастает по линейному закону.

б)
Рис. 5.1 (продолжение)
.
При включённом ключе ток спадает через диод VD
.
Из условия граничного режима IL min =0.

в)
Рис. 5.1 (продолжение)
Среднее значение тока нагрузки совпадает со среднем значением тока индуктивности

IL max можно найти из выражения тока при включённом ключе из условия iL=IL maxпри t= g T
.
Напряжение на нагрузке найдём из закона регулирования для данной схемы.

Получаем
.
Задача 5.2
Определить величину индуктивности, при которой наступает граничный режим в схеме понижающего транзисторного регулятора, считая ёмкость фильтра равной ¥.

Рис. 5.2
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E, В | L | |||||||||||||
| g | 0,7 | 0,6 | 0,5 | 0,4 | 0,3 | |||||||||
| I Н, А | ||||||||||||||
| f, кГц | ||||||||||||||
Задача 5.3
Определить среднее значение тока нагрузки, при котором возникает граничный режим в схеме повышающего транзисторного регулятора, считая ёмкость фильтра равной ¥.

Рис. 5.3
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E, В | I н cp | |||||||||||||
| g | 0,4 | 0,5 | 0,6 | 0,3 | 0,4 | |||||||||
| L ф, мкГн | ||||||||||||||
| f, кГц | ||||||||||||||
Задача 5.4
Определить величину индуктивности, при которой наступает граничный режим в схеме повышающего транзисторного регулятора, считая ёмкость фильтра равной ¥.

Рис. 5.4
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E, В | L | |||||||||||||
| g | 0,5 | 0,6 | 0,7 | 0,8 | 0,4 | |||||||||
| I н, A | ||||||||||||||
| f, кГц | ||||||||||||||
Задача 5.5
Определить среднее значение тока нагрузки, при котором возникает граничный режим в схеме транзисторного регулятора с инверсией выходного напряжения, считая ёмкость фильтра равной ¥.

Рис. 5.5
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E, В | I н cp | |||||||||||||
| g | 0,6 | 0,7 | 0,6 | 0,5 | 0,4 | |||||||||
| L ф, мГн | ||||||||||||||
| f, кГц | ||||||||||||||
Задача 5.6
Определить величину индуктивности, при которой наступает граничный режим в схеме транзисторного регулятора с инверсией выходного напряжения, считая ёмкость фильтра равной ¥.

Рис. 5.6
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E, В | L | |||||||||||||
| g | 0,5 | 0,4 | 0,6 | 0,2 | 0,3 | |||||||||
| I н, А | ||||||||||||||
| f, кГц | ||||||||||||||
Задача 5.7
Определить величину пульсации выходного напряжения в схеме понижающего транзисторного регулятора

Рис. 5.7
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E, В |
| |||||||||||||
| g | 0,4 | 0,3 | 0,5 | 0,6 | 0,4 | |||||||||
| C Ф, мкФ | ||||||||||||||
| Р Н, кВт | ||||||||||||||
| f, кГц | ||||||||||||||
| L Ф, мГн | ||||||||||||||
Задача 5.8
Определить емкость конденсатора, при котором величина пульсации выходного напряжения в схеме понижающего транзисторного регулятора равна заданной.

Рис. 5.8
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E, В | С | |||||||||||||
| g | 0,5 | 0,6 | 0,4 | 0,3 | 0,2 | |||||||||
| P н, кВт | ||||||||||||||
| D U н, В | 0,6 | 0,5 | 0,4 | 0,3 | 0,2 | |||||||||
| f, кГц | ||||||||||||||
| L Ф, мГн | ||||||||||||||
Задача 5.9
Определить величину пульсации выходного напряжения в схеме повышающего транзисторного регулятора.

Рис. 5.9
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E, В |
| |||||||||||||
| g | 0,4 | 0,3 | 0,2 | 0,5 | 0,6 | |||||||||
| С ф, мкФ | ||||||||||||||
| P н, кВт | ||||||||||||||
| f, кГц | ||||||||||||||
| L ф, мГн | ||||||||||||||
Задача 5.10
Определить емкость конденсатора, при котором величина пульсации выходного напряжения в схеме повышающего транзисторного регулятора равна заданной.

Рис. 5.10
Исходные данные
| Вариант | Найти | ||||||||||||
| E, В | С | ||||||||||||
| g | 0,6 | 0,5 | 0,3 | 0,4 | 0,7 | ||||||||
| D U н, В | 0,5 | 0,7 | 0,6 | 0,5 | 0,45 | ||||||||
| P н, кВт | |||||||||||||
| f, кГц | |||||||||||||
| L Ф, мГн | |||||||||||||
Задача 5.11
Определить величину пульсации выходного напряжения в схеме транзисторного регулятора с инверсией выходного напряжения.

Рис. 5.11
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E, В |
| |||||||||||||
| g | 0,5 | 0,6 | 0,7 | 0,65 | 0,8 | |||||||||
| С ф, мкФ | ||||||||||||||
| P н, кВт | ||||||||||||||
| f, кГц | ||||||||||||||
| L Ф , мГн | ||||||||||||||
Задача 5.12
Определить емкость конденсатора, при котором величина пульсации выходного напряжения в схеме транзисторного регулятора с инверсией выходного напряжения равна заданной.

Рис. 5.12
Исходные данные
| Вариант | Найти | ||||||||||||
| E, В | С | ||||||||||||
| g | 0,6 | 0,5 | 0,4 | 0,3 | 0,8 | ||||||||
| D U н, В | 0,2 | 0,4 | 0,25 | 0,7 | 0,6 | ||||||||
| P н, кВт | |||||||||||||
| f, кГц | |||||||||||||
| L Ф , мГн | |||||||||||||
|
|
|
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!