Отношение малого приращения напряжения к вызванному этим изменением приращению тока.

4. Сопротивление по постоянному току.

5. Отношение прямого напряжения к прямому току.

 

Номер:2.771.11.2.

Задание: Укажите характеристику стабилитрона, а также рабочую область (АВ).

Ответы:

1. 2. 3. 4.

 

 

Номер:4.771.3.6.3.

Задание: Что такое полупроводниковый диод?

Ответы:

1. Электронно-дырочный переход.

2. Полупроводниковый прибор, имеющий два вывода.

Полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, имеющий два вывода.

4. Полупроводниковый прибор, пригодный для усиления сигналов.

5. Полупроводниковый прибор, пригодный для ослабления сигналов.

 

 

Номер:2.771.3.7.2.

Задание: Какова теоретическая зависимость тока через р-п переход от значения приложенного внешнего напряжения?

Ответы:

1. .

2.

3.

4.

5. Ток от напряжения не зависит.

 

Номер:2.771.3.8.1.

Задание: Как изменяется обратная ветвь вольт-амперной характеристики диода при повышении температуры до наступления пробоя?

Ответы:

1. 2. 3.

4. 5.

 

Номер:2.771.3.8.2.

Задание: Укажите схему включения стабилитрона.

Ответы:

1. 2. 3.

4. 5.

 

Номер:3.771.3.9.3.

Задание: Что такое варикап?

Ответы:

1. Диод с очень малой емкостью р-п перехода.

2. Диод, работающий в режиме пробоя.

Диод, в котором используется зависимость барьерной емкости перехода от значения обратного напряжения.

4. Диод с точечным контактом.

5. Диод излучающий световой поток.

 

 

9. Каков теоретически ожидаемый порядок отношения значений прямого тока к обратному при одинаковых по абсолютной величине прямом и обратном напряжениях (±1 В)?

1:

2.

3.

4.

5.

 

10. Каков практически наблюдаемый порядок отношения значений прямого тока к обратному при одинаковых по абсолютной величине прямом и обратном напряжениях?

1.

2.

3.

4.

5.

 

 

14. Почему при больших прямых токах у некоторых диодов наблюдается увеличение прямого напряжения с ростом температуры?

1. Вследствие увеличения теплового тока.

2. Вследствие увеличения сопротивления базы диода.

3. Вследствие уменьшения сопротивления базы.

Вследствие роста подвижности носителей заряда.

 

22. При небольших прямых токах диода ТКН положителен или отрицателен?

1. ТКН>0. 2. ТКН=О. 3. ТКН<0.

 

23. Почему повышение температуры кремневого диода при небольшом прямом токе приводит к увеличению прямого тока?

1. Увеличивается сопротивление толщи кристалла диода.

2. Уменьшается пробивное напряжение.

3. Увеличивается тепловое рассеяние свободных носителей.

4. Увеличивается тепловой ток диода.

 

24. Почему у кремниевых выпрямительных диодов при небольшом повышении температуры возрастает пробивное напряжение?

1. Увеличивается напряженность электрического поля в толще кристалла.

Увеличивается тепловое рассеяние свободных носителей и уменьшается длина свободного пробега.

3. Увеличивается сопротивление толщи кристалла

 

31. Какие диоды (плоскостные или точечные)" чаще используются как импульсные?

Точечные.

2. Плоскостные.

3. Одинаково часто плоскостные и точечные.

 

32. В каких пределах лежит значение емкости р-п перехода импульсных диодов?

1. 0,1—1,0 мкФ.

2. 0,2—10 пФ.

3. 20—100 пФ.

4. 100—1000 пФ.

 

 

43. Чем определяется минимальное значение рабочего тока стабилитрона?

1. Наступлением теплового пробоя.

2. Моментом перехода из области насыщения в область пробоя.

3. Устойчивостью лавинного пробоя.

4. Значением рабочего напряжения.

 

45. Как изменится по абсолютной величине рабочее напряжение стабилитрона, предназначенного для стабилизации напряжения выше 7 В при повышении температуры?

1. Не изменится. 2. Увеличится. 3. Уменьшится.

 

 

47. Какой вид пробоя типичен для стабилитронов, имеющих напряжение стабилизации больше 7 В?

Лавинный.

2. Туннельный.

3. Оба вида пробоя одинаково вероятны.

 

 

49. При каком смещении перехода (прямом или обратном) нормально используются варикапы?